如何清洗硅基底基片更专业

2021-05-21 20:50:24

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(1)清洗硅基底基片，选用射CNB1002005AU频磁空溅射工艺方法在基片上堆积150nm的Si3N。，500nm的Si02薄膜作为热隔离层，然后在Si3N。/Si0：上堆积Ti和Pt层；

(2)在上电极上选用3600rpm/min旋涂30s，构成PT/PZT~ PZT/PT多层薄膜层，采取前所述的方法完成0. 55l.t,m的多层薄膜结构；

(3)等离子腐蚀法光刻图形化PT/PZT~ PZT/PT多层薄膜；

(4)选用蒸镀工艺技术，制作150nm的Pt薄膜层和80nm的Ti薄膜层在薄膜层上；

(5)光刻制作焊接区；在纯N：气室内、150Pa压力情况下，蒸镀150nm的金黑吸收层，在丙酮中剥离不需要的金属区，构成红外灵敏检测区域；

(6)光刻底基片厂家灵敏元件的背面，选用BOE深浸蚀5h制作底基片微桥结构；

(7)把灵敏元件与外部输出电路进行衔接，然后真空封装入T0-5型金属壳体内。

制作的红外薄膜型探测器主要由PT/PZT~PZT/PT薄膜灵敏元件、JFET场效应晶体管、窄带滤光片、47kQ电阻以及输出电路等组成，这些被真空封装在T0-5型金属壳体内